что такое генерация в полупроводнике

 

 

 

 

Дырки являются положительными носителями заряда в полупроводниках.В собственном полупроводнике при каждой температуре устанавливается равновесие между процессами генерации и рекомбинации, при котором концентрации электронов и дырок одинаковы. Собственный полупроводник или полупроводник i-типа или нелегированный полупроводник (англ. intrinsic — собственный) — это чистый полупроводник, содержание посторонних примесей в котором не превышает 108 Такой процесс называется рекомбинацией, и, поскольку генерация и рекомбинация носителей происходит одновременно, приПереход металл-полупроводник. В полупроводниковых приборах возникает необходимость применения контактов полупроводника с металлом. Так как полупроводник всегда находится под действием всех этих факторов или хотя бы одного (Т 0), генерация носителей происходит непрерывно. Одновременно с генерацией в полупроводнике непрерывно происходит и обратный. Электропроводность полупроводников. Связанные состояния и рекомбинация носителей в полупроводниках.Отметим также, что высвечивание фотонов при рекомбинации происходит с частотой cE g / , а генерация неравновесных носителей заряда производится путём. Концентрация свободных носителей в полупроводнике определяется одновременно протекающими встречными процессами - генерацией и рекомбинацией. В оптоэлектронных полупроводниковых приборах используется люминесценция кристаллических примесных полупроводников сКак ясно из самого названия, инжекционная электролюминесценция, т.е. генерация оптического излучения в p-n переходе, объединяет В полупроводниках при повышении температуры вследствие генерации электрон-дырочных пар концентрация электронов в зоне проводимости и дырок в валентной зоне увеличивается значительно быстрее, нежели уменьшается их подвижность При воздействии на полупроводник нетепловых внешних факторов из-за генерации новых носителей в полупроводнике появляются неравновесные концентрации(n, p). Избыточные концентрации называют разность Были построены первые приборы на их основе. О. В. Лосев (1923) доказал возможность использования контактов полупроводник-металл для усиления и генерации колебаний (кристаллический детектор). Таким образом, разрыв одной парноэлектронной связи приводит к образованию в полупроводнике двух свободных носителей зарядов: отрицательно заряженного электрона и положительно заряженной «дырки». Этот процесс получил название генерации Поэтому ток I в полупроводнике складывается из электронного In и дырочного Ip токовПоскольку в рассматриваемом случае генерация происходит под действием тепла, то ее можно назвать термогенерацией. Обратный ток почти не зависит от приложенного к электронно-дырочному переходу напряжения до определённого предела, после которого он начнёт возрастать из-за генерации носителей заряда в области границы разнотипных полупроводников. Процессы генерации и рекомбинации при любой температуре взаимно уравновешены.

При этом в собственном полупроводнике при фиксированной температуре существует собственная концентрация электронов. Электропроводность полупроводника, обусловленную генерацией пар носителей зарядов , называют собственной электропроводностью, а обусловленную ионизацией атомов примесей - примесной электропроводностью. Наряду с ионизацией примесных атомов в электронном полупроводнике происходит тепловая генерация, в результате которой образуются свободные электроны и дырки Электроны и дырки являются свободными носителями заряда. Процесс появления свободных носителей заряда генерация.Примесными полупроводниками называются полупроводники, в некоторых узлах кристаллической решетки которых находятся атомы Одновременно с процессом образования свободных носителей (генерация) идет процесс их исчезновения (рекомбинация), т.

е. возврат части электронов изПри наложении электрического поля Е в полупроводнике возникает ток, состоящий из электронной и дырочной составляющих. 11.3. Генерация и рекомбинация в полупроводниках и диэлектриках. Образование свободных носителей заряда в полупроводниках связано с переходом электронов из валентной зоны в зону проводимости. Образование свободных электронов в зоне проводимости и дырок в валентной зоне называют генерацией подвижных носителей заряда, илиДля придания полупроводниковым приборам необходимых свойств в полупроводники добавляют примеси других элементов. На рис. 6.3G это темп генерации, а R темп рекомбинации свободных носителей заряда в собственном полупроводнике. Рисунок 6.3. Генерация и рекомбинация свободных электронов и дырок в полупроводниках. В полупроводниках при повышении температуры вследствие генерации электрон-дырочных пар концентрация электронов в зоне проводимости и дырок в валентной зоне увеличивается значительно быстрееСмотреть что такое "Собственный полупроводник" в других словарях ГЕНЕРАЦИЯ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА в полупроводниках - появление электронов в зоне проводимости и дырок в валентной зоне.Тепловая Г. н.

з. в равновесном полупроводнике уравновешивается их рекомбинацией (см. Рекомбинация носителей заряда), поэтому скорость В результате внешнего энергетического воздействия в полупроводнике начнется генерация носителей, продолжающаяся, пока длится воздействие. Концентрация носителей, обусловленная этим процессом, называется неравновесной. Рекомбинация — исчезновение пары свободных носителей противоположного заряда в среде с выделением энергии. В полупроводниках возможны следующие варианты рекомбинации: межзонная — непосредственный переход электронов в валентную зону Рис. 7.1 Процессы генерации носителей заряда в полупроводнике. Генерация носителей может происходить под воздействием тепловых колебаний атомов, поглощённого электромагнитного излучения или быстрых частиц - электронов и ионов. Одновременно с генерацией в полупроводнике непрерывно идет и обратный процесс, процесс рекомбинации носителей заряда, т.е. возвращение электронов в валентную зону с исчезновением пары носителей заряда. Кроме тепловой генерации носителей заряда в полупроводнике происходит их взаимная нейтрализация, т. е. процесс рекомбинации и эти процессы при любой температуре взаимно уравновешены. На первом из них под воздействием возбуждающей энергии происходит генерация носителей заряда. Этот этап определяет тип люминесценции.При очень высоких концентрациях свободных носителей заряда в полупроводнике увеличивается вероятность столкновения Лазерная генерация получена при использовании многих различных полупроводниковых материалов, общим числом в несколько десятков.Этот элементарный акт генерации света в полупроводниках подобен излучательному распаду возбужденного состояния в системах с Генерация и рекомбинация. Если полупроводник выходит из состояния термодинамического равновесия, то нарушается закон действующих масс: pn ni2 . При этом в полупроводнике проявляются. Механизм генерации излучения в полупроводниках. Физической основой полупроводниковых излучателей является люминесценция. Под люминесценцией понимают электромагнитное нетепловое излучение, обладающее длительностью Химически чистые полупроводники называют собственными полупроводниками. К ним относят ряд чистых химических элементов (германийГенерация пар «свободный электрон дырка» в результате разрушения ковалентной связи (а) и перемещение дырки в кристалле (б). При некоторой установившейся температуре полупроводник находится в состоянии термодинамического равновесия. Процесс генерации уравновешивается процессом рекомбинации. Но при этом генерация является ведущим в этом единстве и связана с воздействием энергетических факторов: теплового хаотического движения атомов кристаллической решетки (тепловая генерация), поглощенных полупроводником квантов света (световая генерация) и Из-за постоянного протекания процессов генерации и рекомбинации носителей зарядов при заданной температуре в полупроводникеВ чистом полупроводнике концентрации носителей зарядов зависят от ширины запрещенной зоны и при увеличении температуры ГЕНЕРАЦИЯ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА в полупроводниках - появление электронов в зоне проводимости и дырок в валентной зоне. Г. н. з. происходит под действием теплового движения атомов кристаллич. решётки (тепловая генерация), а также внеш. факторов Генерация носителей заряда в полупроводнике, создающая избыточную концентрацию их, может быть вызвана не только светом, [c.248].Генерация (1) и рекомбинация (2) носителей заряда в полупроводнике. В полупроводниках при повышении температуры вследствие интенсивной генерации пар носителей концентрация подвижных носителей увеличивается значительно быстрее, нежели уменьшается их подвижность, поэтому с повышением температуры проводимость растет. Дырки являются положительными носителями заряда в полупроводниках.В собственном полупроводнике при каждой температуре устанавливается равновесие между процессами генерации и рекомбинации, при котором концентрации электронов и дырок одинаковы. а скорость генерации при малых концентрациях примеси остается той жеКакой электрон называют электроном проводимости? Что такое дырка?Какие типы электропроводности полупроводников вы знаете? Охарактеризуйте их. Одновременно в полупроводнике наблюдается процесс рекомбинации носителей заряда, обозначенный на рис. 1.24 стрелкой, направленной вниз. При установившейся температуре полупроводника скорости процессов генерации и рекомбинации равны. Когда температура полупроводника постоянна, между генерацией и рекомбинацией пар «электрон — дырка» существует подвижное равновесие. При этом в полупроводнике имеется определенное число подвижных носителей зарядов. Рис. 7.1 Процессы генерации носителей заряда в полупроводнике.Равенство концентраций свободных электронов ni и дырок Pi показывает, что такой полупроводник обладает одинаковыми электронной и дырочной электропроводностями и называется Одновременно с процессом генерации протекает процесс рекомбинации носителей, при котором электрон восстанавливает ковалентную связь.(Рисунок 1.3) Равенство концентраций ni и pi показывает, что такой полупроводник обладает одинаковыми электронной и дырочной Одновременно с генерацией в полупроводнике непрерывно происходит и обратный процесс рекомбинация носителей заряда, т.е. возвращение электронов из зоны проводимости в валентную зону, в результате чего исчезает пара носителей заряда. При большей энергии накачки (рис.53,6) концентрация электронно-дырочных пар может оказаться такой, что квазиуровни F и F окажутсяТакому полупроводнику можно обеспечить положительную обратную связь, и в этом случае будет иметь место генерация. На рис. 1.3.1 G - это темп генерации, а R - темп рекомбинации свободных носителей заряда в собственном полупроводнике. Рис. 1.3.1 Генерация и рекомбинация свободных электронов и дырок в полупроводниках. Тепловая генерация носителей заряда в полупроводниках в равновесном полупроводнике уравновешивается их рекомбинацией (см. Рекомбинация носителей заряда), поэтому скорость тепловой генерации G равна скорости рекомбинации, т. е. , где п0 Но при этом генерация является ведущим в этом единстве и связана с воздействием энергетических факторов: теплового хаотического движения атомов кристаллической решетки (тепловая генерация), поглощенных полупроводником квантов света (световая генерация) и

Схожие по теме записи: